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产品分类
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产品信息
- 描述
- 晶体管*性:P沟道
- 电压, Vds *大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
- 功耗:1.3W
- 封装类型:DIP
- 针脚数:4
- 功率, Pd:1.3W
- 器件标记:IRFD9120PBF
- 封装类型:DIP
- 引脚节距:2.54mm
- 排距:7.62mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-100V
- 电流, Id 连续:1A
- 电流, Idm 脉冲:8A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-4V